Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu

SISF02DN-T1-GE3

Ražotāja daļas numurs:	SISF02DN-T1-GE3
Ražotājs:	Vishay / Siliconix
Daļa no apraksta:	MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
Datu lapas:	SISF02DN-T1-GE3 Datu lapas
Statuss bez svina / RoHS statuss:	Bez svina/Saderīgs ar RoHS
Noliktavas stāvoklis:	Noliktavā
Sūtīt no:	Hong Kong
Sūtīšanas veids:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

PIEZĪME: Vishay / Siliconix SISF02DN-T1-GE3 ir pieejams vietnē chipnets.com. Mēs pārdodam tikai jaunas un oriģinālās detaļas un piedāvājam 1 gada garantiju. Ja vēlaties uzzināt vairāk par produktiem vai piemērot labāku cenu, lūdzu, sazinieties ar mums, noklikšķiniet uz tiešsaistes tērzēšanas vai nosūtiet mums cenu.

Visas Eelctronics sastāvdaļas tiks iepakotas ļoti droši, pateicoties ESD antistatiskajai aizsardzībai.

package

Specifikācija

Tips	Apraksts
Sērija	TrenchFET® Gen IV
Iepakojums	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Daļas statuss	Active
FET tips	2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET iezīme	Standard
Drenāža līdz avota spriegumam (Vdss)	25V
Strāva - nepārtraukta notece (Id) @ 25 ° C	30.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Vārtu lādiņš (Qg) (maks.) @ Vgs	56nC @ 10V
Ievades kapacitāte (ciss) (maks.) @ Vds	2650pF @ 10V
Jauda - maks	5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Darbības temperatūra	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips	Surface Mount
Iepakojums / korpuss	PowerPAK® 1212-8SCD
Piegādātāja ierīču pakete	PowerPAK® 1212-8SCD

IEGĀDES IESPĒJAS

Noliktavas statuss: 45

Minimums: 1

Daudzums	Vienības cena	Ārējais Cena
Cena nav pieejama, lūdzu, piedāvājiet piedāvājumu

Kravas aprēķins

40 ASV dolāri no FedEx.

Pienāk 3-5 dienu laikā

Ekspress: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezmaksas piegāde pirmajiem 0,5 kg pasūtījumiem virs 150 $, par lieko svaru tiks iekasēta atsevišķi.

Populāri modeļi

Šī prece ir pievienota jūsu grozam.