Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu

BSM300D12P3E005

Ražotāja daļas numurs:	BSM300D12P3E005
Ražotājs:	ROHM Semiconductor
Daļa no apraksta:	SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
Datu lapas:	BSM300D12P3E005 Datu lapas
Statuss bez svina / RoHS statuss:	Bez svina/Saderīgs ar RoHS
Noliktavas stāvoklis:	Noliktavā
Sūtīt no:	Hong Kong
Sūtīšanas veids:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

PIEZĪME: ROHM Semiconductor BSM300D12P3E005 ir pieejams vietnē chipnets.com. Mēs pārdodam tikai jaunas un oriģinālās detaļas un piedāvājam 1 gada garantiju. Ja vēlaties uzzināt vairāk par produktiem vai piemērot labāku cenu, lūdzu, sazinieties ar mums, noklikšķiniet uz tiešsaistes tērzēšanas vai nosūtiet mums cenu.

Visas Eelctronics sastāvdaļas tiks iepakotas ļoti droši, pateicoties ESD antistatiskajai aizsardzībai.

package

Specifikācija

Tips	Apraksts
Sērija	-
Iepakojums	Bulk
Daļas statuss	Active
FET tips	2 N-Channel (Half Bridge)
FET iezīme	Silicon Carbide (SiC)
Drenāža līdz avota spriegumam (Vdss)	1200V (1.2kV)
Strāva - nepārtraukta notece (Id) @ 25 ° C	300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	5.6V @ 91mA
Vārtu lādiņš (Qg) (maks.) @ Vgs	-
Ievades kapacitāte (ciss) (maks.) @ Vds	14000pF @ 10V
Jauda - maks	1260W (Tc)
Darbības temperatūra	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips	Chassis Mount
Iepakojums / korpuss	Module
Piegādātāja ierīču pakete	Module

IEGĀDES IESPĒJAS

Noliktavas statuss: 9

Minimums: 1

Daudzums	Vienības cena	Ārējais Cena
Cena nav pieejama, lūdzu, piedāvājiet piedāvājumu

Kravas aprēķins

40 ASV dolāri no FedEx.

Pienāk 3-5 dienu laikā

Ekspress: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezmaksas piegāde pirmajiem 0,5 kg pasūtījumiem virs 150 $, par lieko svaru tiks iekasēta atsevišķi.

Populāri modeļi

	BSM300D12P2E001 ROHM Semiconductor
	BSM300D12P3E005 ROHM Semiconductor

Šī prece ir pievienota jūsu grozam.