Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu

SIS903DN-T1-GE3

Ražotāja daļas numurs:	SIS903DN-T1-GE3
Ražotājs:	Vishay / Siliconix
Daļa no apraksta:	MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
Datu lapas:	SIS903DN-T1-GE3 Datu lapas
Statuss bez svina / RoHS statuss:	Bez svina/Saderīgs ar RoHS
Noliktavas stāvoklis:	Noliktavā
Sūtīt no:	Hong Kong
Sūtīšanas veids:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

PIEZĪME: Vishay / Siliconix SIS903DN-T1-GE3 ir pieejams vietnē chipnets.com. Mēs pārdodam tikai jaunas un oriģinālās detaļas un piedāvājam 1 gada garantiju. Ja vēlaties uzzināt vairāk par produktiem vai piemērot labāku cenu, lūdzu, sazinieties ar mums, noklikšķiniet uz tiešsaistes tērzēšanas vai nosūtiet mums cenu.

Visas Eelctronics sastāvdaļas tiks iepakotas ļoti droši, pateicoties ESD antistatiskajai aizsardzībai.

package

Specifikācija

Tips	Apraksts
Sērija	TrenchFET® Gen III
Iepakojums	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Daļas statuss	Active
FET tips	2 P-Channel (Dual)
FET iezīme	Standard
Drenāža līdz avota spriegumam (Vdss)	20V
Strāva - nepārtraukta notece (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Vārtu lādiņš (Qg) (maks.) @ Vgs	42nC @ 10V
Ievades kapacitāte (ciss) (maks.) @ Vds	2565pF @ 10V
Jauda - maks	2.6W (Ta), 23W (Tc)
Darbības temperatūra	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips	Surface Mount
Iepakojums / korpuss	PowerPAK® 1212-8 Dual
Piegādātāja ierīču pakete	PowerPAK® 1212-8 Dual

IEGĀDES IESPĒJAS

Noliktavas statuss: 1986

Minimums: 1

Daudzums	Vienības cena	Ārējais Cena
Cena nav pieejama, lūdzu, piedāvājiet piedāvājumu

Kravas aprēķins

40 ASV dolāri no FedEx.

Pienāk 3-5 dienu laikā

Ekspress: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezmaksas piegāde pirmajiem 0,5 kg pasūtījumiem virs 150 $, par lieko svaru tiks iekasēta atsevišķi.

Populāri modeļi

Šī prece ir pievienota jūsu grozam.