Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu

FF8MR12W2M1B11BOMA1

Ražotāja daļas numurs:	FF8MR12W2M1B11BOMA1
Ražotājs:	IR (Infineon Technologies)
Daļa no apraksta:	MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Datu lapas:	FF8MR12W2M1B11BOMA1 Datu lapas
Statuss bez svina / RoHS statuss:	Bez svina/Saderīgs ar RoHS
Noliktavas stāvoklis:	Noliktavā
Sūtīt no:	Hong Kong
Sūtīšanas veids:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

PIEZĪME: IR (Infineon Technologies) FF8MR12W2M1B11BOMA1 ir pieejams vietnē chipnets.com. Mēs pārdodam tikai jaunas un oriģinālās detaļas un piedāvājam 1 gada garantiju. Ja vēlaties uzzināt vairāk par produktiem vai piemērot labāku cenu, lūdzu, sazinieties ar mums, noklikšķiniet uz tiešsaistes tērzēšanas vai nosūtiet mums cenu.

Visas Eelctronics sastāvdaļas tiks iepakotas ļoti droši, pateicoties ESD antistatiskajai aizsardzībai.

package

Specifikācija

Tips	Apraksts
Sērija	CoolSiC™+
Iepakojums	Tray
Daļas statuss	Active
FET tips	2 N-Channel (Dual)
FET iezīme	Silicon Carbide (SiC)
Drenāža līdz avota spriegumam (Vdss)	1200V
Strāva - nepārtraukta notece (Id) @ 25 ° C	150A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
Vgs (th) (Max) @ Id	5.55V @ 60mA
Vārtu lādiņš (Qg) (maks.) @ Vgs	372nC @ 15V
Ievades kapacitāte (ciss) (maks.) @ Vds	11000pF @ 800V
Jauda - maks	20mW (Tc)
Darbības temperatūra	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips	Chassis Mount
Iepakojums / korpuss	Module
Piegādātāja ierīču pakete	AG-EASY2BM-2

IEGĀDES IESPĒJAS

Noliktavas statuss: 45

Minimums: 1

Daudzums	Vienības cena	Ārējais Cena
Cena nav pieejama, lūdzu, piedāvājiet piedāvājumu

Kravas aprēķins

40 ASV dolāri no FedEx.

Pienāk 3-5 dienu laikā

Ekspress: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezmaksas piegāde pirmajiem 0,5 kg pasūtījumiem virs 150 $, par lieko svaru tiks iekasēta atsevišķi.

Populāri modeļi

	FF8MR12W2M1B11BOMA1 IR (Infineon Technologies)

Šī prece ir pievienota jūsu grozam.