Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu

DF11MR12W1M1B11BOMA1

Ražotāja daļas numurs:	DF11MR12W1M1B11BOMA1
Ražotājs:	Rochester Electronics
Daļa no apraksta:	IGBT MODULE
Datu lapas:	DF11MR12W1M1B11BOMA1 Datu lapas
Statuss bez svina / RoHS statuss:	Bez svina/Saderīgs ar RoHS
Noliktavas stāvoklis:	Noliktavā
Sūtīt no:	Hong Kong
Sūtīšanas veids:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

PIEZĪME: Rochester Electronics DF11MR12W1M1B11BOMA1 ir pieejams vietnē chipnets.com. Mēs pārdodam tikai jaunas un oriģinālās detaļas un piedāvājam 1 gada garantiju. Ja vēlaties uzzināt vairāk par produktiem vai piemērot labāku cenu, lūdzu, sazinieties ar mums, noklikšķiniet uz tiešsaistes tērzēšanas vai nosūtiet mums cenu.

Visas Eelctronics sastāvdaļas tiks iepakotas ļoti droši, pateicoties ESD antistatiskajai aizsardzībai.

package

Specifikācija

Tips	Apraksts
Sērija	*
Iepakojums	Bulk
Daļas statuss	Active
FET tips	2 N-Channel (Dual)
FET iezīme	Silicon Carbide (SiC)
Drenāža līdz avota spriegumam (Vdss)	1200V (1.2kV)
Strāva - nepārtraukta notece (Id) @ 25 ° C	50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 20mA
Vārtu lādiņš (Qg) (maks.) @ Vgs	125nC @ 5V
Ievades kapacitāte (ciss) (maks.) @ Vds	3950pF @ 800V
Jauda - maks	20mW
Darbības temperatūra	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips	Chassis Mount
Iepakojums / korpuss	Module
Piegādātāja ierīču pakete	Module

IEGĀDES IESPĒJAS

Noliktavas statuss: 83

Minimums: 1

Daudzums	Vienības cena	Ārējais Cena
Cena nav pieejama, lūdzu, piedāvājiet piedāvājumu

Kravas aprēķins

40 ASV dolāri no FedEx.

Pienāk 3-5 dienu laikā

Ekspress: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezmaksas piegāde pirmajiem 0,5 kg pasūtījumiem virs 150 $, par lieko svaru tiks iekasēta atsevišķi.

Populāri modeļi

	DF11MR12W1M1B11BOMA1 Rochester Electronics
	DF11MR12W1M1B11BPSA1 IR (Infineon Technologies)
	DF11MR12W1M1PB11BPSA1 IR (Infineon Technologies)

Šī prece ir pievienota jūsu grozam.