Vishay General Semiconductor – Diodes Division / VI20120C-M3/4W
Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu
VI20120C-M3/4W
| Ražotāja daļas numurs: | VI20120C-M3/4W |
| Ražotājs: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Daļa no apraksta: | DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-262AA |
| Datu lapas: | VI20120C-M3/4W Datu lapas |
| Statuss bez svina / RoHS statuss: | Bez svina/Saderīgs ar RoHS |
| Noliktavas stāvoklis: | Noliktavā |
| Sūtīt no: | Hong Kong |
| Sūtīšanas veids: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- PIEZĪME
- Vishay General Semiconductor – Diodes Division VI20120C-M3/4W ir pieejams vietnē chipnets.com. Mēs pārdodam tikai jaunas un oriģinālās detaļas un piedāvājam 1 gada garantiju. Ja vēlaties uzzināt vairāk par produktiem vai piemērot labāku cenu, lūdzu, sazinieties ar mums, noklikšķiniet uz tiešsaistes tērzēšanas vai nosūtiet mums cenu.
| Tips | Apraksts |
|---|---|
| Sērija | Automotive, AEC-Q101, TMBS® |
| Iepakojums | Tube |
| Daļas statuss | Active |
| Diodes konfigurācija | 1 Pair Common Cathode |
| Diodes tips | Schottky |
| Spriegums - līdzstrāvas reverss (Vr) (maks.) | 120 V |
| Pašreizējais - vidējais rektificētais (Io) (par diode) | 10A |
| Spriegums - uz priekšu (Vf) (maks.) @ Ja | 900 mV @ 10 A |
| Ātrums | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reversais atkopšanas laiks (trr) | - |
| Pašreizējais - apgrieztā noplūde @ Vr | 700 µA @ 120 V |
| Darba temperatūra - krustojums | -40°C ~ 150°C |
| Montāžas tips | Through Hole |
| Iepakojums / korpuss | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Piegādātāja ierīču pakete | TO-262AA |
Noliktavas statuss: Piegāde tajā pašā dienā
Minimums: 1
| Daudzums | Vienības cena | Ārējais Cena |
|---|---|---|
Cena nav pieejama, lūdzu, piedāvājiet piedāvājumu |
||
40 ASV dolāri no FedEx.
Pienāk 3-5 dienu laikā
Ekspress: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezmaksas piegāde pirmajiem 0,5 kg pasūtījumiem virs 150 $, par lieko svaru tiks iekasēta atsevišķi.
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |