Vishay General Semiconductor – Diodes Division / UGB10CCTHE3/81
Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu
UGB10CCTHE3/81
| Ražotāja daļas numurs: | UGB10CCTHE3/81 |
| Ražotājs: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Daļa no apraksta: | DIODE ARRAY GP 150V 5A TO263AB |
| Datu lapas: | UGB10CCTHE3/81 Datu lapas |
| Statuss bez svina / RoHS statuss: | Bez svina/Saderīgs ar RoHS |
| Noliktavas stāvoklis: | Noliktavā |
| Sūtīt no: | Hong Kong |
| Sūtīšanas veids: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- PIEZĪME
- Vishay General Semiconductor – Diodes Division UGB10CCTHE3/81 ir pieejams vietnē chipnets.com. Mēs pārdodam tikai jaunas un oriģinālās detaļas un piedāvājam 1 gada garantiju. Ja vēlaties uzzināt vairāk par produktiem vai piemērot labāku cenu, lūdzu, sazinieties ar mums, noklikšķiniet uz tiešsaistes tērzēšanas vai nosūtiet mums cenu.
| Tips | Apraksts |
|---|---|
| Sērija | - |
| Iepakojums | Tape & Reel (TR) |
| Daļas statuss | Active |
| Diodes konfigurācija | 1 Pair Common Cathode |
| Diodes tips | Standard |
| Spriegums - līdzstrāvas reverss (Vr) (maks.) | 150 V |
| Pašreizējais - vidējais rektificētais (Io) (par diode) | 5A |
| Spriegums - uz priekšu (Vf) (maks.) @ Ja | 1.1 V @ 5 A |
| Ātrums | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reversais atkopšanas laiks (trr) | 25 ns |
| Pašreizējais - apgrieztā noplūde @ Vr | 10 µA @ 150 V |
| Darba temperatūra - krustojums | -40°C ~ 150°C |
| Montāžas tips | Surface Mount |
| Iepakojums / korpuss | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Piegādātāja ierīču pakete | TO-263AB |
Noliktavas statuss: Piegāde tajā pašā dienā
Minimums: 1
| Daudzums | Vienības cena | Ārējais Cena |
|---|---|---|
Cena nav pieejama, lūdzu, piedāvājiet piedāvājumu |
||
40 ASV dolāri no FedEx.
Pienāk 3-5 dienu laikā
Ekspress: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezmaksas piegāde pirmajiem 0,5 kg pasūtījumiem virs 150 $, par lieko svaru tiks iekasēta atsevišķi.
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |