Vishay General Semiconductor – Diodes Division / VS-12TTS08SLHM3
Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu
VS-12TTS08SLHM3
| Ražotāja daļas numurs: | VS-12TTS08SLHM3 |
| Ražotājs: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Daļa no apraksta: | SCR 800V 12.5A TO263 |
| Datu lapas: | VS-12TTS08SLHM3 Datu lapas |
| Statuss bez svina / RoHS statuss: | Bez svina/Saderīgs ar RoHS |
| Noliktavas stāvoklis: | Noliktavā |
| Sūtīt no: | Hong Kong |
| Sūtīšanas veids: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- PIEZĪME
- Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-12TTS08SLHM3 ir pieejams vietnē chipnets.com. Mēs pārdodam tikai jaunas un oriģinālās detaļas un piedāvājam 1 gada garantiju. Ja vēlaties uzzināt vairāk par produktiem vai piemērot labāku cenu, lūdzu, sazinieties ar mums, noklikšķiniet uz tiešsaistes tērzēšanas vai nosūtiet mums cenu.
| Tips | Apraksts |
|---|---|
| Sērija | Automotive, AEC-Q101 |
| Iepakojums | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Daļas statuss | Active |
| Spriegums - izslēgts stāvoklis | 800 V |
| Spriegums - vārtu trigeris (Vgt) (maks.) | 1 V |
| Pašreizējais - vārtu trigeris (Igt) (maks.) | 15 mA |
| Spriegums - ieslēgts (Vtm) (maks.) | 1.2 V |
| Pašreizējais - ieslēgts stāvoklis (tas (AV)) (maks.) | 8 A |
| Pašreizējais - ieslēgts (tas (RMS)) (maks.) | 12.5 A |
| Pašreizējais - turiet (Ih) (maks.) | 30 mA |
| Pašreizējais - izslēgts stāvoklis (maks.) | 5 mA |
| Pašreizējais - neatkārtojams pārspriegums 50, 60Hz (Itsm) | 110A @ 50Hz |
| SCR tips | Standard Recovery |
| Darbības temperatūra | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montāžas tips | Surface Mount |
| Iepakojums / korpuss | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Piegādātāja ierīču pakete | TO-263 (D2Pak) |
Noliktavas statuss: 713
Minimums: 1
| Daudzums | Vienības cena | Ārējais Cena |
|---|---|---|
Cena nav pieejama, lūdzu, piedāvājiet piedāvājumu |
||
40 ASV dolāri no FedEx.
Pienāk 3-5 dienu laikā
Ekspress: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezmaksas piegāde pirmajiem 0,5 kg pasūtījumiem virs 150 $, par lieko svaru tiks iekasēta atsevišķi.
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |