GeneSiC Semiconductor / 1N3879R
Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu
1N3879R
| Ražotāja daļas numurs: | 1N3879R |
| Ražotājs: | GeneSiC Semiconductor |
| Daļa no apraksta: | DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4 |
| Datu lapas: | 1N3879R Datu lapas |
| Statuss bez svina / RoHS statuss: | Bez svina/Saderīgs ar RoHS |
| Noliktavas stāvoklis: | Noliktavā |
| Sūtīt no: | Hong Kong |
| Sūtīšanas veids: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- PIEZĪME
- GeneSiC Semiconductor 1N3879R ir pieejams vietnē chipnets.com. Mēs pārdodam tikai jaunas un oriģinālās detaļas un piedāvājam 1 gada garantiju. Ja vēlaties uzzināt vairāk par produktiem vai piemērot labāku cenu, lūdzu, sazinieties ar mums, noklikšķiniet uz tiešsaistes tērzēšanas vai nosūtiet mums cenu.
Visas Eelctronics sastāvdaļas tiks iepakotas ļoti droši, pateicoties ESD antistatiskajai aizsardzībai.
Specifikācija
| Tips | Apraksts |
|---|---|
| Sērija | - |
| Iepakojums | Bulk |
| Daļas statuss | Active |
| Diodes tips | Standard, Reverse Polarity |
| Spriegums - līdzstrāvas reverss (Vr) (maks.) | 50 V |
| Pašreizējais - vidēji labots (Io) | 6A |
| Spriegums - uz priekšu (Vf) (maks.) @ Ja | 1.4 V @ 6 A |
| Ātrums | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reversais atkopšanas laiks (trr) | 200 ns |
| Pašreizējais - apgrieztā noplūde @ Vr | 15 µA @ 50 V |
| Kapacitāte @ Vr, F | - |
| Montāžas tips | Chassis, Stud Mount |
| Iepakojums / korpuss | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Piegādātāja ierīču pakete | DO-4 |
| Darba temperatūra - krustojums | -65°C ~ 150°C |
Noliktavas statuss: 941
Minimums: 1
| Daudzums | Vienības cena | Ārējais Cena |
|---|---|---|
Cena nav pieejama, lūdzu, piedāvājiet piedāvājumu |
||
Kravas aprēķins
40 ASV dolāri no FedEx.
Pienāk 3-5 dienu laikā
Ekspress: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezmaksas piegāde pirmajiem 0,5 kg pasūtījumiem virs 150 $, par lieko svaru tiks iekasēta atsevišķi.
Populāri modeļi
Pievienots grozam!
Šī prece ir pievienota jūsu grozam.