Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu

SIS888DN-T1-GE3

Ražotāja daļas numurs:	SIS888DN-T1-GE3
Ražotājs:	Vishay / Siliconix
Daļa no apraksta:	MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Datu lapas:	SIS888DN-T1-GE3 Datu lapas
Statuss bez svina / RoHS statuss:	Bez svina/Saderīgs ar RoHS
Noliktavas stāvoklis:	Noliktavā
Sūtīt no:	Hong Kong
Sūtīšanas veids:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

PIEZĪME: Vishay / Siliconix SIS888DN-T1-GE3 ir pieejams vietnē chipnets.com. Mēs pārdodam tikai jaunas un oriģinālās detaļas un piedāvājam 1 gada garantiju. Ja vēlaties uzzināt vairāk par produktiem vai piemērot labāku cenu, lūdzu, sazinieties ar mums, noklikšķiniet uz tiešsaistes tērzēšanas vai nosūtiet mums cenu.

Visas Eelctronics sastāvdaļas tiks iepakotas ļoti droši, pateicoties ESD antistatiskajai aizsardzībai.

package

Specifikācija

Tips	Apraksts
Sērija	ThunderFET®
Iepakojums	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Daļas statuss	Active
FET tips	N-Channel
Tehnoloģija	MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža līdz avota spriegumam (Vdss)	150 V
Strāva - nepārtraukta notece (Id) @ 25 ° C	20.2A (Tc)
Piedziņas spriegums (maks. Rds ieslēgts, min. Rds ieslēgts)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.2V @ 250µA
Vārtu lādiņš (Qg) (maks.) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Ievades kapacitāte (ciss) (maks.) @ Vds	420 pF @ 75 V
FET iezīme	-
Jaudas izkliede (maks.)	52W (Tc)
Darbības temperatūra	-55°C ~ 150°C (TA)
Montāžas tips	Surface Mount
Piegādātāja ierīču pakete	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Iepakojums / korpuss	PowerPAK® 1212-8S

IEGĀDES IESPĒJAS

Noliktavas statuss: 3097

Minimums: 1

Daudzums	Vienības cena	Ārējais Cena
Cena nav pieejama, lūdzu, piedāvājiet piedāvājumu

Kravas aprēķins

40 ASV dolāri no FedEx.

Pienāk 3-5 dienu laikā

Ekspress: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezmaksas piegāde pirmajiem 0,5 kg pasūtījumiem virs 150 $, par lieko svaru tiks iekasēta atsevišķi.

Populāri modeļi

Šī prece ir pievienota jūsu grozam.