Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu

RQ3E100MNTB1

Ražotāja daļas numurs:	RQ3E100MNTB1
Ražotājs:	ROHM Semiconductor
Daļa no apraksta:	MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Datu lapas:	RQ3E100MNTB1 Datu lapas
Statuss bez svina / RoHS statuss:	Bez svina/Saderīgs ar RoHS
Noliktavas stāvoklis:	Noliktavā
Sūtīt no:	Hong Kong
Sūtīšanas veids:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

PIEZĪME: ROHM Semiconductor RQ3E100MNTB1 ir pieejams vietnē chipnets.com. Mēs pārdodam tikai jaunas un oriģinālās detaļas un piedāvājam 1 gada garantiju. Ja vēlaties uzzināt vairāk par produktiem vai piemērot labāku cenu, lūdzu, sazinieties ar mums, noklikšķiniet uz tiešsaistes tērzēšanas vai nosūtiet mums cenu.

Visas Eelctronics sastāvdaļas tiks iepakotas ļoti droši, pateicoties ESD antistatiskajai aizsardzībai.

package

Specifikācija

Tips	Apraksts
Sērija	*
Iepakojums	Tape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Daļas statuss	Active
FET tips	N-Channel
Tehnoloģija	MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža līdz avota spriegumam (Vdss)	30 V
Strāva - nepārtraukta notece (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Piedziņas spriegums (maks. Rds ieslēgts, min. Rds ieslēgts)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Vārtu lādiņš (Qg) (maks.) @ Vgs	9.9 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Ievades kapacitāte (ciss) (maks.) @ Vds	520 pF @ 15 V
FET iezīme	-
Jaudas izkliede (maks.)	2W (Ta)
Darbības temperatūra	150°C (TJ)
Montāžas tips	Surface Mount
Piegādātāja ierīču pakete	8-HSMT (3.2x3)
Iepakojums / korpuss	8-PowerVDFN

IEGĀDES IESPĒJAS

Noliktavas statuss: 5286

Minimums: 1

Daudzums	Vienības cena	Ārējais Cena
Cena nav pieejama, lūdzu, piedāvājiet piedāvājumu

Kravas aprēķins

40 ASV dolāri no FedEx.

Pienāk 3-5 dienu laikā

Ekspress: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezmaksas piegāde pirmajiem 0,5 kg pasūtījumiem virs 150 $, par lieko svaru tiks iekasēta atsevišķi.

Populāri modeļi

Šī prece ir pievienota jūsu grozam.