Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu

STS6P3LLH6

Ražotāja daļas numurs:	STS6P3LLH6
Ražotājs:	STMicroelectronics
Daļa no apraksta:	MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
Datu lapas:	STS6P3LLH6 Datu lapas
Statuss bez svina / RoHS statuss:	Bez svina/Saderīgs ar RoHS
Noliktavas stāvoklis:	Noliktavā
Sūtīt no:	Hong Kong
Sūtīšanas veids:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

PIEZĪME: STMicroelectronics STS6P3LLH6 ir pieejams vietnē chipnets.com. Mēs pārdodam tikai jaunas un oriģinālās detaļas un piedāvājam 1 gada garantiju. Ja vēlaties uzzināt vairāk par produktiem vai piemērot labāku cenu, lūdzu, sazinieties ar mums, noklikšķiniet uz tiešsaistes tērzēšanas vai nosūtiet mums cenu.

Visas Eelctronics sastāvdaļas tiks iepakotas ļoti droši, pateicoties ESD antistatiskajai aizsardzībai.

package

Specifikācija

Tips	Apraksts
Sērija	DeepGATE™, STripFET™ VI
Iepakojums	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Daļas statuss	Active
FET tips	P-Channel
Tehnoloģija	MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža līdz avota spriegumam (Vdss)	30 V
Strāva - nepārtraukta notece (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)
Piedziņas spriegums (maks. Rds ieslēgts, min. Rds ieslēgts)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Vārtu lādiņš (Qg) (maks.) @ Vgs	12 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Ievades kapacitāte (ciss) (maks.) @ Vds	1450 pF @ 24 V
FET iezīme	-
Jaudas izkliede (maks.)	2.7W (Ta)
Darbības temperatūra	150°C (TJ)
Montāžas tips	Surface Mount
Piegādātāja ierīču pakete	8-SO
Iepakojums / korpuss	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IEGĀDES IESPĒJAS

Noliktavas statuss: Piegāde tajā pašā dienā

Minimums: 1

Daudzums	Vienības cena	Ārējais Cena
Cena nav pieejama, lūdzu, piedāvājiet piedāvājumu

Kravas aprēķins

40 ASV dolāri no FedEx.

Pienāk 3-5 dienu laikā

Ekspress: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezmaksas piegāde pirmajiem 0,5 kg pasūtījumiem virs 150 $, par lieko svaru tiks iekasēta atsevišķi.

Populāri modeļi

	STS6PF30L STMicroelectronics
	STS6P3LLH6 STMicroelectronics
	STS6NF20V STMicroelectronics

Šī prece ir pievienota jūsu grozam.