Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu
Ražotāja daļas numurs: | SISH615ADN-T1-GE3 |
Ražotājs: | Vishay / Siliconix |
Daļa no apraksta: | MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK |
Datu lapas: | SISH615ADN-T1-GE3 Datu lapas |
Statuss bez svina / RoHS statuss: | Bez svina/Saderīgs ar RoHS |
Noliktavas stāvoklis: | Noliktavā |
Sūtīt no: | Hong Kong |
Sūtīšanas veids: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Tips | Apraksts |
---|---|
Sērija | TrenchFET® Gen III |
Iepakojums | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Daļas statuss | Active |
FET tips | P-Channel |
Tehnoloģija | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenāža līdz avota spriegumam (Vdss) | 20 V |
Strāva - nepārtraukta notece (Id) @ 25 ° C | 22.1A (Ta), 35A (Tc) |
Piedziņas spriegums (maks. Rds ieslēgts, min. Rds ieslēgts) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Vārtu lādiņš (Qg) (maks.) @ Vgs | 183 nC @ 10 V |
Vgs (maks.) | ±12V |
Ievades kapacitāte (ciss) (maks.) @ Vds | 5590 pF @ 10 V |
FET iezīme | - |
Jaudas izkliede (maks.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Darbības temperatūra | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montāžas tips | Surface Mount |
Piegādātāja ierīču pakete | PowerPAK® 1212-8SH |
Iepakojums / korpuss | PowerPAK® 1212-8SH |
Noliktavas statuss: 8005
Minimums: 1
Daudzums | Vienības cena | Ārējais Cena |
---|---|---|
Cena nav pieejama, lūdzu, piedāvājiet piedāvājumu |
40 ASV dolāri no FedEx.
Pienāk 3-5 dienu laikā
Ekspress: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezmaksas piegāde pirmajiem 0,5 kg pasūtījumiem virs 150 $, par lieko svaru tiks iekasēta atsevišķi.