Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu

TK210V65Z,LQ

Ražotāja daļas numurs:	TK210V65Z,LQ
Ražotājs:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Daļa no apraksta:	MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN
Datu lapas:	TK210V65Z,LQ Datu lapas
Statuss bez svina / RoHS statuss:	Bez svina/Saderīgs ar RoHS
Noliktavas stāvoklis:	Noliktavā
Sūtīt no:	Hong Kong
Sūtīšanas veids:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

PIEZĪME: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK210V65Z,LQ ir pieejams vietnē chipnets.com. Mēs pārdodam tikai jaunas un oriģinālās detaļas un piedāvājam 1 gada garantiju. Ja vēlaties uzzināt vairāk par produktiem vai piemērot labāku cenu, lūdzu, sazinieties ar mums, noklikšķiniet uz tiešsaistes tērzēšanas vai nosūtiet mums cenu.

Visas Eelctronics sastāvdaļas tiks iepakotas ļoti droši, pateicoties ESD antistatiskajai aizsardzībai.

package

Specifikācija

Tips	Apraksts
Sērija	DTMOSVI
Iepakojums	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Daļas statuss	Active
FET tips	N-Channel
Tehnoloģija	MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža līdz avota spriegumam (Vdss)	650 V
Strāva - nepārtraukta notece (Id) @ 25 ° C	15A (Ta)
Piedziņas spriegums (maks. Rds ieslēgts, min. Rds ieslēgts)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	210mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 610µA
Vārtu lādiņš (Qg) (maks.) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Ievades kapacitāte (ciss) (maks.) @ Vds	1370 pF @ 300 V
FET iezīme	-
Jaudas izkliede (maks.)	130W (Tc)
Darbības temperatūra	150°C
Montāžas tips	Surface Mount
Piegādātāja ierīču pakete	5-DFN (8x8)
Iepakojums / korpuss	4-VSFN Exposed Pad

IEGĀDES IESPĒJAS

Noliktavas statuss: 5000

Minimums: 1

Daudzums	Vienības cena	Ārējais Cena
Cena nav pieejama, lūdzu, piedāvājiet piedāvājumu

Kravas aprēķins

40 ASV dolāri no FedEx.

Pienāk 3-5 dienu laikā

Ekspress: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezmaksas piegāde pirmajiem 0,5 kg pasūtījumiem virs 150 $, par lieko svaru tiks iekasēta atsevišķi.

Populāri modeļi

	TK210V65Z,LQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Šī prece ir pievienota jūsu grozam.