Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu

TK7J90E,S1E

Ražotāja daļas numurs:	TK7J90E,S1E
Ražotājs:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Daļa no apraksta:	MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Datu lapas:	TK7J90E,S1E Datu lapas
Statuss bez svina / RoHS statuss:	Bez svina/Saderīgs ar RoHS
Noliktavas stāvoklis:	Noliktavā
Sūtīt no:	Hong Kong
Sūtīšanas veids:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

PIEZĪME: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK7J90E,S1E ir pieejams vietnē chipnets.com. Mēs pārdodam tikai jaunas un oriģinālās detaļas un piedāvājam 1 gada garantiju. Ja vēlaties uzzināt vairāk par produktiem vai piemērot labāku cenu, lūdzu, sazinieties ar mums, noklikšķiniet uz tiešsaistes tērzēšanas vai nosūtiet mums cenu.

Visas Eelctronics sastāvdaļas tiks iepakotas ļoti droši, pateicoties ESD antistatiskajai aizsardzībai.

package

Specifikācija

Tips	Apraksts
Sērija	π-MOSVIII
Iepakojums	Tube
Daļas statuss	Active
FET tips	N-Channel
Tehnoloģija	MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža līdz avota spriegumam (Vdss)	900 V
Strāva - nepārtraukta notece (Id) @ 25 ° C	7A (Ta)
Piedziņas spriegums (maks. Rds ieslēgts, min. Rds ieslēgts)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 700µA
Vārtu lādiņš (Qg) (maks.) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Ievades kapacitāte (ciss) (maks.) @ Vds	1350 pF @ 25 V
FET iezīme	-
Jaudas izkliede (maks.)	200W (Tc)
Darbības temperatūra	150°C (TJ)
Montāžas tips	Through Hole
Piegādātāja ierīču pakete	TO-3P(N)
Iepakojums / korpuss	TO-3P-3, SC-65-3

IEGĀDES IESPĒJAS

Noliktavas statuss: 12

Minimums: 1

Daudzums	Vienības cena	Ārējais Cena
Cena nav pieejama, lūdzu, piedāvājiet piedāvājumu

Kravas aprēķins

40 ASV dolāri no FedEx.

Pienāk 3-5 dienu laikā

Ekspress: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezmaksas piegāde pirmajiem 0,5 kg pasūtījumiem virs 150 $, par lieko svaru tiks iekasēta atsevišķi.

Populāri modeļi

	TK7J90E,S1E Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Šī prece ir pievienota jūsu grozam.