Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu
Ražotāja daļas numurs: | IRFS59N10DTRLP |
Ražotājs: | Rochester Electronics |
Daļa no apraksta: | MOSFET N-CH 100V 59A TO263-3-2 |
Datu lapas: | IRFS59N10DTRLP Datu lapas |
Statuss bez svina / RoHS statuss: | Bez svina/Saderīgs ar RoHS |
Noliktavas stāvoklis: | Noliktavā |
Sūtīt no: | Hong Kong |
Sūtīšanas veids: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Tips | Apraksts |
---|---|
Sērija | HEXFET® |
Iepakojums | Bulk |
Daļas statuss | Active |
FET tips | N-Channel |
Tehnoloģija | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenāža līdz avota spriegumam (Vdss) | 100 V |
Strāva - nepārtraukta notece (Id) @ 25 ° C | 59A (Tc) |
Piedziņas spriegums (maks. Rds ieslēgts, min. Rds ieslēgts) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 35.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Vārtu lādiņš (Qg) (maks.) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
Vgs (maks.) | ±30V |
Ievades kapacitāte (ciss) (maks.) @ Vds | 2450 pF @ 25 V |
FET iezīme | - |
Jaudas izkliede (maks.) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
Darbības temperatūra | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montāžas tips | Surface Mount |
Piegādātāja ierīču pakete | PG-TO263-3-2 |
Iepakojums / korpuss | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Noliktavas statuss: 590
Minimums: 1
Daudzums | Vienības cena | Ārējais Cena |
---|---|---|
![]() Cena nav pieejama, lūdzu, piedāvājiet piedāvājumu |
40 ASV dolāri no FedEx.
Pienāk 3-5 dienu laikā
Ekspress: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezmaksas piegāde pirmajiem 0,5 kg pasūtījumiem virs 150 $, par lieko svaru tiks iekasēta atsevišķi.