Attēls ir paredzēts atsaucei, lūdzu, sazinieties ar mums, lai iegūtu reālo attēlu

RS1E200BNTB

Ražotāja daļas numurs:	RS1E200BNTB
Ražotājs:	ROHM Semiconductor
Daļa no apraksta:	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Datu lapas:	RS1E200BNTB Datu lapas
Statuss bez svina / RoHS statuss:	Bez svina/Saderīgs ar RoHS
Noliktavas stāvoklis:	Noliktavā
Sūtīt no:	Hong Kong
Sūtīšanas veids:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

PIEZĪME: ROHM Semiconductor RS1E200BNTB ir pieejams vietnē chipnets.com. Mēs pārdodam tikai jaunas un oriģinālās detaļas un piedāvājam 1 gada garantiju. Ja vēlaties uzzināt vairāk par produktiem vai piemērot labāku cenu, lūdzu, sazinieties ar mums, noklikšķiniet uz tiešsaistes tērzēšanas vai nosūtiet mums cenu.

Visas Eelctronics sastāvdaļas tiks iepakotas ļoti droši, pateicoties ESD antistatiskajai aizsardzībai.

package

Specifikācija

Tips	Apraksts
Sērija	-
Iepakojums	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Daļas statuss	Active
FET tips	N-Channel
Tehnoloģija	MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža līdz avota spriegumam (Vdss)	30 V
Strāva - nepārtraukta notece (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)
Piedziņas spriegums (maks. Rds ieslēgts, min. Rds ieslēgts)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Vārtu lādiņš (Qg) (maks.) @ Vgs	59 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Ievades kapacitāte (ciss) (maks.) @ Vds	3100 pF @ 15 V
FET iezīme	-
Jaudas izkliede (maks.)	3W (Ta), 25W (Tc)
Darbības temperatūra	150°C (TJ)
Montāžas tips	Surface Mount
Piegādātāja ierīču pakete	8-HSOP
Iepakojums / korpuss	8-PowerTDFN

IEGĀDES IESPĒJAS

Noliktavas statuss: 374

Minimums: 1

Daudzums	Vienības cena	Ārējais Cena
Cena nav pieejama, lūdzu, piedāvājiet piedāvājumu

Kravas aprēķins

40 ASV dolāri no FedEx.

Pienāk 3-5 dienu laikā

Ekspress: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezmaksas piegāde pirmajiem 0,5 kg pasūtījumiem virs 150 $, par lieko svaru tiks iekasēta atsevišķi.

Populāri modeļi

Šī prece ir pievienota jūsu grozam.